Spremite se za nošenje smartphone-a koji će imati 4GB RAM memorije. U ponedjeljak u Koreji, Samsung je najavio da je razvio prvi 8 gigabit (Gb), (LPDDR4) mobilni DRAM niske potrošnje. Čip je napravljen 20-nanometarskim procesom i nudi 1GB po jednom čipu. To znači da ima najveću gustinu na DRAM komponenti. Pored toga, Samsung kaže da pruža visok nivo performansi uz nisku potrošnju energije. Kombinacija četiri 8Gb čipa će ponuditi jedan 4GB LPDDR4 paket, što znači 4GB RAM-a za smartphone, ili neki drugi uređaj.
Mobilni 8Gb LPDDR4 DRAM će omogućiti brže aplikacije, veće rezolucije ekrana, duže trajanje baterije, i još naprednih funkcija za vaš budući uređaj. Sa novim niskonaponskim U/I interfejsom, transfer podataka po jednom pinu će iznositi 3200Mbps. Ovo je duplo brže od 20-nanometarske LPDDR3 DRAM memorije, koja je trenutno u masovnoj proizvodnji. Takođe ostvaruje 50% bolje performanse od trenutno najbržeg DDR3 memorijskog čipa, a pri 1.1 volt, koristi samo 40% energije.
Čip će se koristiti za uređaje visoke klase, uključujući smartphone-e, i biće spreman za isporuke u 2014. godini.
Vrste mobilnih memorija koje je kompanija proizvela tokom godina:
– 2009: 256MB (50nm 1Gb MDDR, 400Mbps)
– 2010: 512MB (40nm 2Gb MDDR, 400Mbps)
– 2011: 1GB/2GB (30nm 4Gb LPDDR2, 1066Mbps)
– Avgust 2012: 2GB (30nm 4Gb LPDDR3, 1600Mbps)
– April 2013: 2GB (20nm 4Gb LPDDR3, 2133Mbps)
– Juli 2013: 3GB (20nm 4Gb LPDDR3, 2133Mbps)
– Novembar 2013: 3GB (20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mbps)
– K1 2014: 4GB (20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mbps)
(phonearena)
